碳化硅單晶在自然界極其稀有，幾乎不存在。只能依靠人工合成制備。目前工業(yè)生產(chǎn)碳化硅襯底材料以物理氣相升華法為主，這種方法需要在高溫真空環(huán)境下將粉料升華，然后通過(guò)溫場(chǎng)的控制讓升華后的組分在籽晶表面生長(zhǎng)從而獲得碳化硅晶體。整個(gè)過(guò)程在密閉空間內(nèi)完成，有效的監(jiān)控手段少，且變量多，對(duì)于工藝控制精度要求極高。